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解鎖未來電力潛能:MS2N350HGC0 MOSFET新品發(fā)布

發(fā)布時間: 2024-06-13

隨著電力電子技術的飛速發(fā)展,高性能、高可靠性的半導體器件成為了推動行業(yè)進步的關鍵。今日,我們榮幸地向全球客戶推出MS2N350HGC0 MOSFET新品,這款集快速、高效、穩(wěn)定于一體的先進半導體器件,將為您的電力應用系統(tǒng)帶來前所未有的性能提升。


卓越性能,一覽無余

MS2N350HGC0 MOSFET采用了先進的設計理念和制造工藝,具備一系列令人矚目的技術特性。首先,其高達3500V的耐壓能力,使得它能夠在高壓環(huán)境中穩(wěn)定工作,無論是高壓電源供應、電容器放電應用,還是脈沖電路和激光、X射線生成系統(tǒng),都能輕松應對。此外,該MOSFET具備極低的內在電容和優(yōu)化的門極電荷,實現(xiàn)了高速開關,為您的系統(tǒng)帶來更高的效率和更快的響應速度。在連續(xù)工作條件下,MS2N350HGC0能夠承受2A的電流,而在脈沖模式下,更是能夠高達6A,充分滿足各種應用場景的需求。

國際化標準,品質保障

我們深知品質對于客戶的重要性,因此MS2N350HGC0 MOSFET嚴格按照國際化標準生產(chǎn),確保每一個產(chǎn)品都符合最高品質要求。它采用了TO-247封裝,具有良好的散熱性能和機械強度,確保在惡劣環(huán)境下也能穩(wěn)定運行。同時,我們還提供了詳細的電氣規(guī)格和特性參數(shù),幫助客戶更好地了解和使用產(chǎn)品。


絕對最大額定值

符號

數(shù)值

單位

源極-漏極電壓(VGS = 0)

VDS

3500

V

柵極-源極電壓

VGS

± 30

V

漏極電流(連續(xù))在TC = 25 °C時

ID

2

A

漏極電流(連續(xù))在TC = 100 °C時

ID

1.6

A

漏極電流(脈沖)

IDM

6

A

總耗散在TC = 25 °C時

PD

463

W

雪崩電流

IAR

1.3

A

單脈沖雪崩能量(起始TJ = 25 °C, ID = IAR, VDD = 50V, L=20mH)

EAS

81

mJ

工作結溫

TJ

-55 ~ 150

儲存溫度

Tstg

-55 ~ 150

最大引線溫度(焊接用途)

TL

300

安裝扭矩

Md

1.13

N·m

重量

G

6

g

專業(yè)生產(chǎn),助力創(chuàng)新

我們的產(chǎn)品憑借其卓越的性能和可靠性,成為高壓和脈沖應用領域的理想選擇。無論是用于電容器放電、脈沖電路還是激光和X射線生成系統(tǒng),我們的產(chǎn)品都能提供穩(wěn)定且可靠的性能,我們旨在向客戶展示這款產(chǎn)品的獨特優(yōu)勢和廣闊應用前景。我們相信,隨著MS2N350HGC0 MOSFET的廣泛應用,它將為電力電子行業(yè)帶來革命性的變革。

展望未來,共創(chuàng)輝煌

作為電力電子領域的領軍企業(yè),我們一直致力于為客戶提供最先進、最可靠的半導體器件。MS2N350HGC0 MOSFET的推出,是我們不斷創(chuàng)新、追求卓越的重要成果。未來,我們將繼續(xù)秉承“客戶至上、品質第一”的理念,不斷推出更多高性能、高品質的半導體器件,為客戶創(chuàng)造更大的價值。

讓我們攜手共進,共同開創(chuàng)電力電子行業(yè)的輝煌未來!如需了解更多關于MS2N350HGC0 MOSFET的詳細信息,請訪問我們的官方網(wǎng)站,或下載相關規(guī)格書。我們期待與您的合作,共創(chuàng)美好明天!

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電話: +86 13510329758

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